Qallium nitridi (GaN) əsasında güclü inteqral sxemlər hazırlayan İrlandiyanın Navitas Semiconductor şirkəti özünün texnologiyasının elektromobillərdə tətbiq edəcəyini açıqlayıb. İddiaya görə, belə yarımkeçiricilərə malik olan cərəyan və güc çeviriciləri yürüş ehtiyatını artıracaq və batareyaların dəyərini beş faiz azaldacaq, eyni zamanda, onları üç dəfə daha sürətli doldurulacaqlar. Düzdür, indi belə qurğular silikon analoqlarından 10-20 faiz bahadır, lakin iki il ərzində onların qiyməti düşə bilər.
GaN yarımkeçiriciləri silikon mikroçiplərindən 20 dəfəyə qədər daha sürətli işləyir, üç qat daha çox gücü təmin edir, ölçü və çəkisinin iki dəfə az olmasına baxmayaraq, yükləməni üç dəfə sürətləndirir. Onlardan cərəyan və güc çeviriciləri hazırlamaq üçün istifadə oluna bilər ki, bu da elektromobillərin yürüş ehtiyatını artıracaq və batareyaların qiymətini beş faiz azaldacaqdır. Bununla belə, CNBC müxbirləri ilə söhbət zamanı Navitas şirkətinin rəhbəri Cin Şeridan fərqli rəqəmlər səsləndirib: enerji doldurmadan yürüş ehtiyatı 30% artacaq və ya batareyaların ölçüsü eyni miqdarda azalacaqdır.
Navitas Semiconductor artıq Xiaomi şirkətini çiplərlə təmin edir, lakin onlar 2025-ci ilə qədər elektromobillərdə quraşdırılmayacaqlar. Şeridanın sözlərinə görə, bütün enerji sistemini inteqral sxemin ətrafında yenidən layihələndirmək üçün bir neçə il gərəkdir, hələlik isə GaN çipləri silikon analoqlarından 10-20% baha başa gəlirlər. Şirkət yanvar ayında, Şanxayda bu problemlərlə məşğul olacaq, həmçinin avtomobil istehsalçıları ilə birbaşa işləyəcək yeni mərkəzini açıb. CNBC agentliyinin məlumatına görə, Navitas şirkəti Porsche, Audi və Volkswagen şirkətləri üçün komponentləri tədarük edən BRUSA HyPower şirkəti ilə müqavilə bağlayıb.
© Bütün hüquqlar Autograph.az saytına məxsusdur. Xəbərdən istifadə zamanı sayta istinad etmək mütləqdir.
